以下のコンテンツは、プロンプトを入力して、AI (claude-3-5-sonnet) が生成した「電気電子工学概論」のレポート課題です。このページは生成結果から自動的に作成されているため、表示が乱れている場合があることをご容赦ください。 データセット作成の目的と利用上の注意および生成の方法についてはAboutを御覧ください。

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以下のレポート課題を提案します：

課題タイトル： 「半導体デバイスの基本原理と現代社会における応用」

課題内容： 第6回「半導体の基礎 - pn接合とダイオード」と第7回「トランジスタの基礎 - バイポーラトランジスタとFET」で学習した内容を踏まえ、以下の3点について説明しなさい。

  1. pn接合の形成過程とその基本的な動作原理について、エネルギーバンド図を用いて説明せよ。

  2. バイポーラトランジスタとFETの基本構造と動作原理の違いを比較しながら説明せよ。

  3. 上記2種類のトランジスタが、現代の電子機器（スマートフォンやパソコンなど）でどのように活用されているか、具体的な例を挙げて説明せよ。

なお、説明にあたっては授業で学んだ専門用語を適切に用い、必要に応じて図表を活用すること。図表を用いる場合は、それらが何を説明するために用いられているのかを明確に記述すること。